Vishay Type N-Channel MOSFET, 415 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR220EP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,52

(excl. BTW)

€ 10,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.022 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,26€ 8,52
20 - 98€ 4,00€ 8,00
100 - 198€ 3,625€ 7,25
200 - 498€ 3,415€ 6,83
500 +€ 3,20€ 6,40

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8615
Fabrikantnummer:
SiDR220EP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

415A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00082Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 25 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density, synchronous buck converter and load switching.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Low power loss

UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.