Vishay Type N-Channel MOSFET, 415 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR220EP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,46

(excl. BTW)

€ 4,18

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.022 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,73€ 3,46
20 - 98€ 1,625€ 3,25
100 - 198€ 1,49€ 2,98
200 - 498€ 1,47€ 2,94
500 +€ 1,45€ 2,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8615
Fabrikantnummer:
SiDR220EP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

415A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00082Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 25 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density, synchronous buck converter and load switching.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Low power loss

UIS tested

Gerelateerde Links