Vishay Type N-Channel MOSFET, 218 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR626LEP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,60

(excl. BTW)

€ 11,62

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 5.990 stuk(s) vanaf 01 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,80€ 9,60
20 - 98€ 4,51€ 9,02
100 - 198€ 4,08€ 8,16
200 - 498€ 3,845€ 7,69
500 +€ 3,605€ 7,21

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
239-8617
Fabrikantnummer:
SiDR626LEP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

218A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0021Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for solar micro inverter, motor drive switch and synchronous rectification.

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Very low resistance

UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.