Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 273 A, 100 V P, 3-Pin TO-263 IPB020N08N5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,88

(excl. BTW)

€ 4,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 810 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 3,88
10 - 24€ 3,68
25 - 49€ 3,61
50 - 99€ 3,38
100 +€ 3,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
243-9266
Fabrikantnummer:
IPB020N08N5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

273A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

P

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon N-channel power MOSFET is an ideal for high frequency switching. It has an excellent gate charge product (FOM). It typically provided in D2PAK package system. The drain current and drain-source voltage of power MOSFET is 173 A and 80 V respec

300 W power dissipation

Surface mount

Optimized for synchronous rectification

Output capacitance reduction of up to 44 %

Gerelateerde Links