Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.410,00

(excl. BTW)

€ 1.705,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 25 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,564€ 1.410,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-0879
Fabrikantnummer:
IPD650P06NMATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.

P-Channel

Very low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Normal Level

Enhancement mode

Gerelateerde Links