Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 180 A, 40 V P, 3-Pin TO-252 IPD80R1K2P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,43

(excl. BTW)

€ 7,78

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.205 stuk(s) vanaf 02 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,286€ 6,43
50 - 120€ 1,068€ 5,34
125 - 245€ 1,004€ 5,02
250 - 495€ 0,924€ 4,62
500 +€ 0,862€ 4,31

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-1596
Fabrikantnummer:
IPD80R1K2P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

P

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET 800V CoolMOS™ P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation.

Best-in-class FOM RDS(on) * Eoss

Best-in-class DPAK RDS(on)

Best-in-class V(GS)th of 3V

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Gerelateerde Links