Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 180 A, 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD650P06NMATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 2,90

(excl. BTW)

€ 3,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.162 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,45€ 2,90
20 - 48€ 1,22€ 2,44
50 - 98€ 1,135€ 2,27
100 - 198€ 1,06€ 2,12
200 +€ 0,995€ 1,99

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-0880
Fabrikantnummer:
IPD650P06NMATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.7mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET OptiMOSTM Power Transistor has Pb-free lead plating, RoHS compliant and is halogen-free according to IEC61249-2-21.

P-Channel

Very low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Normal Level

Enhancement mode

Gerelateerde Links