onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL025N065SC1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 16,32

(excl. BTW)

€ 19,75

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 340 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 16,32
10 +€ 14,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
248-5818
Fabrikantnummer:
NTHL025N065SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

164nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

117W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 348 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.

Ultra Low Gate Charge 164 nC

Low capacitance 278 pF

100 percent avalanche tested

Temperature 175°C

RDS(on) 19 mohm

Gerelateerde Links