Infineon iPB Type P-Channel MOSFET, 273 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P03P4L04ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,58

(excl. BTW)

€ 3,12

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 572 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,58
10 - 24€ 2,45
25 - 49€ 2,35
50 - 99€ 2,25
100 +€ 2,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
249-6909
Fabrikantnummer:
IPB80P03P4L04ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

273A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS is power MOSFET for automotive applications. Operating channel is N. It is AEC Q101 qualified. MSL1 up to 260°C peak reflow. Green Product (RoHS compliant) and it is 100% Avalanche tested.

175°C operating temperature

Gerelateerde Links