Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 80 A, 30 V, 3-Pin D2PAK IPB80P03P4L07ATMA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
857-4546
Fabrikantnummer:
IPB80P03P4L07ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

OptiMOS P

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

88 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Length

10mm

Width

9.25mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.4mm

Vrijgesteld

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.