Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.12 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP125H6433XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 2,49

(excl. BTW)

€ 3,015

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.935 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,498€ 2,49
50 - 120€ 0,43€ 2,15
125 - 245€ 0,40€ 2,00
250 - 495€ 0,368€ 1,84
500 +€ 0,344€ 1,72

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0528
Fabrikantnummer:
BSP125H6433XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOT-223

Series

BSP

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Small Signal n-channel products are suitable for automotive applications. This SIPMOS Power-Transistor is an N-Channel, Enhancement mode with Vds of 600 V, Rds(on) 45 Ω and Id is 0.12 A. It is dv/dt rated.

Pb-free lead plating

Maximum power dissipation is 360mW

Gerelateerde Links