Infineon BSP Type N-Channel MOSFET, 0.68 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP316PH6327XTSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 2,28

(excl. BTW)

€ 2,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.930 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 0,456€ 2,28
50 - 120€ 0,40€ 2,00
125 - 245€ 0,374€ 1,87
250 - 495€ 0,346€ 1,73
500 +€ 0,324€ 1,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
250-0536
Fabrikantnummer:
BSP316PH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

BSP

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-496

The Infineon makes this SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Channel, Enhancement mode mosfet. The device is dv/dt rated, P-channel, Enhancement mode transistor widely used in high-switching applications. It is avalanche rated and halogen-free.

Vds is 100 V, RDS(on) 1.8 Ω and Id is 0.68 A

Maximum power dissipation is 360 mW

Gerelateerde Links