Vishay Type N-Channel MOSFET, 118 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.134,00

(excl. BTW)

€ 1.371,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,378€ 1.134,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
252-0306
Fabrikantnummer:
SQJ184EP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

118A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.04mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.9 mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

Gerelateerde Links