Vishay Type N-Channel MOSFET, 118 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ184EP-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,86

(excl. BTW)

€ 8,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,372€ 6,86
50 - 245€ 1,288€ 6,44
250 - 495€ 1,168€ 5,84
500 - 1245€ 1,096€ 5,48
1250 +€ 1,03€ 5,15

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
252-0307
Fabrikantnummer:
SQJ184EP-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

118A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.04mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

4.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

Gerelateerde Links