Fabrikantnummer

Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23 SI2329DS-T1-GE3

RS-stocknr.:: 256-7347
Fabrikantnummer:: SI2329DS-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23 SI2329DS-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 13,275

(excl. BTW)

€ 16,075

(incl. BTW)

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 25	€ 0,531	€ 13,28
50 - 75	€ 0,52	€ 13,00
100 - 225	€ 0,398	€ 9,95
250 - 975	€ 0,389	€ 9,73
1000 +	€ 0,242	€ 6,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 256-7347
Fabrikantnummer:: SI2329DS-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-8V
	Package Type	SOT-23
	Series	Si2329DS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.12Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -8V
	Package Type SOT-23
	Series Si2329DS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SI2329DS-T1-GE3

The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.

TrenchFET power mosfet

100 % Rg tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.