Vishay Si2329DS Type P-Channel MOSFET, -6 A, -8 V, 3-Pin SOT-23 SI2329DS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 11,75

(excl. BTW)

€ 14,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.900 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 0,47€ 11,75
50 - 75€ 0,46€ 11,50
100 - 225€ 0,351€ 8,78
250 - 975€ 0,344€ 8,60
1000 +€ 0,214€ 5,35

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
256-7347
Fabrikantnummer:
SI2329DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-8V

Series

Si2329DS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Height

1.12mm

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor P-channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) surface mount SOT-23-3 (TO-236) halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition.

TrenchFET power mosfet

100 % Rg tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

Gerelateerde Links