Infineon HEXFET Fifth Generation Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 55 V SOT-223

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 402,50

(excl. BTW)

€ 487,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 12 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,161€ 402,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-5538
Artikelnummer Distrelec:
304-40-532
Fabrikantnummer:
IRFL014NTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-223

Series

HEXFET Fifth Generation

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.16Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Lead-Free

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface mount package

Gerelateerde Links