Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263 IPB180N10S403ATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,17

(excl. BTW)

€ 6,26

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 3.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,17
10 - 24€ 4,91
25 - 49€ 4,70
50 - 99€ 4,50
100 +€ 4,20

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3803
Fabrikantnummer:
IPB180N10S403ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Gerelateerde Links