Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement TO-263 IPB180N10S403ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,15

(excl. BTW)

€ 6,23

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,15
10 - 24€ 4,89
25 - 49€ 4,69
50 - 99€ 4,49
100 +€ 4,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3803
Fabrikantnummer:
IPB180N10S403ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow


Gerelateerde Links