Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V N TO-263 IPB014N06NATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 6,77

(excl. BTW)

€ 8,192

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 982 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 3,385€ 6,77
20 - 48€ 2,91€ 5,82
50 - 98€ 2,74€ 5,48
100 - 198€ 2,535€ 5,07
200 +€ 2,335€ 4,67

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
259-1541
Fabrikantnummer:
IPB014N06NATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Mode

N

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon optimos 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make optimos 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. Available in half bridge configuration (power stage 5x6).

N-channel enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green product (RoHS compliant)

Ultra low Rds(on)

100% avalanche tested

Gerelateerde Links