Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 35 A, 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,98

(excl. BTW)

€ 13,285

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.925 stuk(s) vanaf 16 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,196€ 10,98
50 - 120€ 1,80€ 9,00
125 - 245€ 1,69€ 8,45
250 - 495€ 1,56€ 7,80
500 +€ 1,448€ 7,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3840
Fabrikantnummer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is power MOSFET for automotive applications. It has 175°C operating temperature.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.