Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 35 A, 120 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD35N12S3L24ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,29

(excl. BTW)

€ 8,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 9.925 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,458€ 7,29
50 - 120€ 1,194€ 5,97
125 - 245€ 1,122€ 5,61
250 - 495€ 1,036€ 5,18
500 +€ 0,962€ 4,81

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3840
Fabrikantnummer:
IPD35N12S3L24ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

35A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

IPD

Package Type

PG-TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

71W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is power MOSFET for automotive applications. It has 175°C operating temperature.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Gerelateerde Links