Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, -80 A, -30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-252 IPD80P03P4L07ATMA2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,05

(excl. BTW)

€ 3,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.850 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 1,525€ 3,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3864
Fabrikantnummer:
IPD80P03P4L07ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

PG-TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-0.31 V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-P2 power-transistor is lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency. Robust packages with superior quality and reliability.

No charge pump required for high side drive

Simple interface drive circuit

Highest current capability

Gerelateerde Links