Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 30 V WDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 4800 eenheden)*

€ 3.940,80

(excl. BTW)

€ 4.766,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
4800 +€ 0,821€ 3.940,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3966
Fabrikantnummer:
IRF6727MTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

WDSON

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Forward Voltage Vf

0.77V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

High-current rating

Dual-side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Compact form factor

High efficiency

Environmentally friendly

Gerelateerde Links