Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 55 V TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 842,00

(excl. BTW)

€ 1.018,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,421€ 842,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-3998
Fabrikantnummer:
IRLR3915TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Gerelateerde Links