Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 55 V TO-252 IRLR3915TRPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 3,24

(excl. BTW)

€ 3,92

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 1.472 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 1,62€ 3,24
20 - 48€ 1,475€ 2,95
50 - 98€ 1,375€ 2,75
100 - 198€ 1,28€ 2,56
200 +€ 1,18€ 2,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
258-3999
Fabrikantnummer:
IRLR3915TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

120W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-40-553

The Infineon HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this product are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Gerelateerde Links