Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tray van 8 eenheden)*

€ 1.789,344

(excl. BTW)

€ 2.165,104

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 8 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
8 +€ 223,668€ 1.789,34

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
260-1092
Fabrikantnummer:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

AG-EASY3B

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

26.5mΩ

Forward Voltage Vf

6.15V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.

High current density

Low inductive design

Rugged mounting due to integrated mounting clamps

Gerelateerde Links