Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 207 A, 600 V N HDSOP IPDQ60R040S7XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,63

(excl. BTW)

€ 10,44

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 750 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 8,63
5 - 9€ 7,77
10 - 24€ 7,33
25 - 49€ 6,81
50 +€ 6,29

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
260-1202
Fabrikantnummer:
IPDQ60R040S7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

207A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPD

Package Type

HDSOP

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

N

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Maximum Power Dissipation Pd

272W

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.5 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.1mm

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

Gerelateerde Links