Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 126 A, 600 V N HDSOP

Subtotaal (1 rol van 750 eenheden)*

€ 1.821,75

(excl. BTW)

€ 2.204,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
750 +€ 2,429€ 1.821,75

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
260-1203
Fabrikantnummer:
IPDQ60R065S7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HDSOP

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

195W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.35mm

Length

15.5mm

Width

15.1 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

Gerelateerde Links