Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB011N04NF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,95

(excl. BTW)

€ 7,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 800 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 2,975€ 5,95
20 - 48€ 2,68€ 5,36
50 - 98€ 2,50€ 5,00
100 - 198€ 2,315€ 4,63
200 +€ 2,14€ 4,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-5843
Fabrikantnummer:
IPB011N04NF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

201A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links