Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,63

(excl. BTW)

€ 6,812

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 984 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 2,815€ 5,63
20 - 48€ 2,37€ 4,74
50 - 98€ 2,20€ 4,40
100 - 198€ 2,06€ 4,12
200 +€ 1,915€ 3,83

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
260-5118
Fabrikantnummer:
IPB120N06S403ATMA2
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Gerelateerde Links