Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 190 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB013N06NF2SATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,42

(excl. BTW)

€ 12,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 798 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,21€ 10,42
20 - 48€ 4,685€ 9,37
50 - 98€ 4,37€ 8,74
100 - 198€ 4,06€ 8,12
200 +€ 3,805€ 7,61

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-5848
Fabrikantnummer:
IPB013N06NF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

190A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon N channel power transistor is optimized for wide range of applications and it is 100 percent avalanche tested.

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.