Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI1310NPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,64

(excl. BTW)

€ 9,245

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.800 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,528€ 7,64
50 - 120€ 1,376€ 6,88
125 - 245€ 1,284€ 6,42
250 - 495€ 1,208€ 6,04
500 +€ 0,994€ 4,97

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6752
Fabrikantnummer:
IRFI1310NPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-34-458

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fully avalanche rated

High voltage isolation 2.5KVRMS

Gerelateerde Links