Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 12 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFI530NPBF

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 5,10

(excl. BTW)

€ 6,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 190 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,51€ 5,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6759
Fabrikantnummer:
IRFI530NPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.036Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It has 4.8mm sink to lead creep age distance. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Fully avalanche rated

High voltage isolation 2.5KVRMS

Gerelateerde Links