Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 565,00

(excl. BTW)

€ 682,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 - 2500€ 0,226€ 565,00
5000 - 5000€ 0,215€ 537,50
7500 +€ 0,201€ 502,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6763
Fabrikantnummer:
IRFL024NTRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-223

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Ultra low on-resistance

Dynamic dv/dt rating

Fasts switching

Fully avalanche rated

Gerelateerde Links