Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 150 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU4615PBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 11,56

(excl. BTW)

€ 13,99

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.815 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,312€ 11,56
50 - 120€ 2,036€ 10,18
125 - 245€ 1,896€ 9,48
250 - 495€ 1,76€ 8,80
500 +€ 1,272€ 6,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
262-6781
Fabrikantnummer:
IRFU4615PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

IPAK

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

144W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Gerelateerde Links