Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 3-Pin IPAK

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 3000 eenheden)*

€ 1.725,00

(excl. BTW)

€ 2.088,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
3000 +€ 0,575€ 1.725,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
262-6778
Fabrikantnummer:
IRFU4510PBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

IPAK

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

143W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Height

2.39mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Gerelateerde Links