ROHM R6004END3 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004END3TL1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,38

(excl. BTW)

€ 12,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.495 stuk(s) vanaf 11 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,076€ 10,38
50 - 95€ 1,79€ 8,95
100 - 245€ 1,45€ 7,25
250 - 995€ 1,424€ 7,12
1000 +€ 1,222€ 6,11

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-3776
Fabrikantnummer:
R6004END3TL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6004END3

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.98Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

59W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching

Parallel use is easy

Gerelateerde Links