ROHM R6007END3 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007END3TL1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,17

(excl. BTW)

€ 7,465

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.445 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,234€ 6,17
50 - 95€ 1,078€ 5,39
100 - 245€ 0,852€ 4,26
250 - 995€ 0,832€ 4,16
1000 +€ 0,724€ 3,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-3778
Fabrikantnummer:
R6007END3TL1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

R6007END3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.62Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.

Fast switching

Parallel use is easy

Gerelateerde Links