Vishay SIDR Type N-Channel MOSFET, 227 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR626EP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,00

(excl. BTW)

€ 9,68

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 24 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 48€ 4,00€ 8,00
50 - 98€ 3,59€ 7,18
100 - 248€ 2,94€ 5,88
250 - 998€ 2,88€ 5,76
1000 +€ 2,30€ 4,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8285
Fabrikantnummer:
SIDR626EP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

227A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIDR

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00174Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET has TOP side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.

Tuned for the lowest figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links