Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 4.326,00

(excl. BTW)

€ 5.234,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 2,163€ 4.326,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
268-8314
Fabrikantnummer:
SIHK185N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

SIHK

Mount Type

PCB

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.193Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Low figure of merit

Gerelateerde Links