Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 26.2 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 11,17

(excl. BTW)

€ 13,515

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 6.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,234€ 11,17
50 - 95€ 2,016€ 10,08
100 - 245€ 1,622€ 8,11
250 - 995€ 1,588€ 7,94
1000 +€ 1,198€ 5,99

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
268-8349
Fabrikantnummer:
SISS5710DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

26.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SISS

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0315Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

54.3W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Gerelateerde Links