Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 55.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS5110DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 4 eenheden)*

€ 7,812

(excl. BTW)

€ 9,452

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
4 - 56€ 1,953€ 7,81
60 - 96€ 1,465€ 5,86
100 - 236€ 1,303€ 5,21
240 - 996€ 1,273€ 5,09
1000 +€ 1,245€ 4,98

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9994
Fabrikantnummer:
SISS5110DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0126Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links