Vishay SISS Type P-Channel MOSFET, 59.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS4409DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,53

(excl. BTW)

€ 10,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,706€ 8,53
50 - 95€ 1,28€ 6,40
100 - 245€ 1,14€ 5,70
250 - 995€ 1,118€ 5,59
1000 +€ 1,092€ 5,46

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9988
Fabrikantnummer:
SISS4409DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

59.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

126nC

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

Gerelateerde Links