Infineon IPB057N06N Type N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB057N06NATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 527,00

(excl. BTW)

€ 638,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 26 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 0,527€ 527,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2997
Fabrikantnummer:
IPB057N06NATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

IPB057N06N

Package Type

PG-TO263-3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-5°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

40mm

Standards/Approvals

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Height

1.5mm

Width

40 mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial appl

Highest system efficiency

Less paralleling required

Increased power density

System cost reduction

Gerelateerde Links