Infineon OptiMOSa5 Type N-Channel MOSFET, 112 A, 150 V Enhancement, 3-Pin PG-TO262-3 IPI076N15N5AKSA1

Subtotaal (1 tube van 50 eenheden)*

€ 144,55

(excl. BTW)

€ 174,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 450 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
50 +€ 2,891€ 144,55

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3013
Fabrikantnummer:
IPI076N15N5AKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

112A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOSa5

Package Type

PG-TO262-3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFETs are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications.

Higher power density designs

More rugged products

System cost reduction

Gerelateerde Links