Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,88

(excl. BTW)

€ 8,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.490 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,688€ 6,88
50 - 90€ 0,582€ 5,82
100 - 240€ 0,541€ 5,41
250 - 990€ 0,53€ 5,30
1000 +€ 0,52€ 5,20

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3010
Fabrikantnummer:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

26W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon 600V cool MOS PFD7 super junction MOSFET complements the cool MOS 7 offering for consumer applications. The products come with an integrated fast body diode ensuring a robust device. The fast body diode and Infineon's industry-leading SMD pac

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning

Gerelateerde Links