Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IPW65R115CFD7AXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 152,01

(excl. BTW)

€ 183,93

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 210 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 30€ 5,067€ 152,01
60 +€ 4,677€ 140,31

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3027
Fabrikantnummer:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPW

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AECQ101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon automotive SJ power MOSFET is in TO-247 package is part of the automotive qualified 650V cool MOS SJ power MOSFET CFD7A product family.

Enabling of higher power density designs

Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage

Granular portfolio available

Gerelateerde Links