Infineon IPW Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,21

(excl. BTW)

€ 7,51

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 215 stuk(s) vanaf 20 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 6,21
5 - 9€ 6,10
10 - 24€ 5,65
25 - 49€ 5,18
50 +€ 4,78

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3028
Fabrikantnummer:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO-247

Series

IPW

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

115mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

AECQ101, RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon automotive SJ power MOSFET is in TO-247 package is part of the automotive qualified 650V cool MOS SJ power MOSFET CFD7A product family.

Enabling of higher power density designs

Scalable as designed for use in PFC and DC-DC stage

Granular portfolio available

Gerelateerde Links