Fabrikantnummer

Infineon BSZ12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8

RS-stocknr.:: 273-5250
Fabrikantnummer:: BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon BSZ12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 30,77

(excl. BTW)

€ 37,23

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 5 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
5 - 45	€ 6,154	€ 30,77
50 - 495	€ 5,136	€ 25,68
500 - 995	€ 4,394	€ 21,97
1000 - 2495	€ 4,316	€ 21,58
2500 +	€ 4,236	€ 21,18

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 273-5250
Fabrikantnummer:: BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	BSZ12DN20NS3 G
	Package Type	PG-TSDSON-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, JEDEC1
	Height	1.5mm
	Length	40mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series BSZ12DN20NS3 G
	Package Type PG-TSDSON-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, JEDEC1
	Height 1.5mm
	Length 40mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ12DN20NS3GATMA1

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and 150 degree Celsius operating temperature. It is a optimized for dc to dc conversion.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.