Infineon BSZ12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,48

(excl. BTW)

€ 6,63

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 55 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,096€ 5,48
50 - 495€ 0,914€ 4,57
500 - 995€ 0,782€ 3,91
1000 - 2495€ 0,768€ 3,84
2500 +€ 0,754€ 3,77

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-5250
Fabrikantnummer:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

BSZ12DN20NS3 G

Package Type

PG-TSDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, JEDEC1

Height

1.5mm

Width

40 mm

Length

40mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET is a N channel power MOSFET. This MOSFET has an excellent gate charge. It is qualified according to JEDEC for target applications and 150 degree Celsius operating temperature. It is a optimized for dc to dc conversion.

Halogen free

RoHS compliant

Pb free lead plating

Very low on resistance

Gerelateerde Links