Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin TSDSON BSZ12DN20NS3GATMA1

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
RS-stocknr.:
165-6894
Fabrikantnummer:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TSDSON

Series

OptiMOS™ 3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

125 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Width

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

3.4mm

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

N.v.t.

Land van herkomst:
CN

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.