Infineon ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,33

(excl. BTW)

€ 12,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,066€ 10,33
50 - 95€ 1,964€ 9,82
100 - 495€ 1,818€ 9,09
500 - 995€ 1,672€ 8,36
1000 +€ 1,61€ 8,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-154
Fabrikantnummer:
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

63A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

ISZ

Package Type

PG-TSDSON-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach that solves the trade-off between on-state resistance and linear mode capability. Combined with the low cost, low profile PQFN 3.3x3.3 package, it is targeted for soft start and current limiting purpose in Power over Ethernet (PoE) application.

Wide safe operating area

Low RDS(on)

High max. pulse current

High max. continuous current

Available in small low profile package

Gerelateerde Links