STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 56 A Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA60N043DM9

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 200,52

(excl. BTW)

€ 242,64

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 210 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 6,684€ 200,52

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
275-1383
Fabrikantnummer:
STWA60N043DM9
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Package Type

TO-247

Series

STW

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

43mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78.6nC

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET is based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast recovery diode. The silicon based DM9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure.

Fast recovery body diode

Worldwide best RDS per area among silicon based fast recovery devices

Low gate charge, input capacitance and resistance

100 percent avalanche tested

Gerelateerde Links