Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 31 A, 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,37

(excl. BTW)

€ 7,71

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.970 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,637€ 6,37
50 - 90€ 0,478€ 4,78
100 - 240€ 0,424€ 4,24
250 - 990€ 0,416€ 4,16
1000 +€ 0,409€ 4,09

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
279-9902
Fabrikantnummer:
SIA4446DJ-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SC-70

Series

SIA

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

19.2W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

2.05mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links